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물리전자 및 반도체공학 통합과정
서순주 교수님 위스콘신대학교-매디슨 재료공학과 박사졸업
| 강의 신청하기 | 총 합계금액 : 240,000원 |
| 제목 | 강의시간 | 상세내용 |
|---|---|---|
| 1장. Crystal Structure (결정 구조) | ||
|
[1강] 반도체 물질. 결정 격자. 7가지 시스템과 14가지 격자
|
0 :
36 :
34
|
|
원소 반도체, 주기적 구조, 7가지 결정 시스템과 브라베 격자, 입방 격자 | ||
|
[2강] 격자 평면과 방향. 반도체 구조
|
1 :
01 :
27
|
|
면과 방향의 표시, 등가 면과 등가 방향, 다이아몬드 격자 구조, 섬아연광 구조, 섬유아연석 구조 | ||
| 2장. Atomic Structure (원자 구조) | ||
|
[3강] 물리학적 모형의 소개. 보어의 모형
|
0 :
50 :
27
|
|
물리적 모델의 종류, 실험적 관측, 보어 모델 | ||
|
[4강] 파동과 입자의 이중성 (1)
|
0 :
28 :
19
|
|
파동 함수에 대한 표현 | ||
|
[5강] 파동과 입자의 이중성 (2)
|
0 :
41 :
05
|
|
쉬뢰딩거 파동 방정식, 플랑크 아인스타인 관계식 | ||
|
[6강] 파동과 입자의 이중성 (3)
|
0 :
23 :
25
|
|
쉬뢰딩거 방정식 | ||
|
[7강] 파동과 입자의 이중성 (4)
|
1 :
04 :
21
|
|
양자학적 가설(고유 값, 고유 함수, 고유 값 방정식, 시간에 무관한 쉬뢰딩거 방정식, 복소수 공액, 확률밀도함수, 정규화 조건) | ||
|
[8강] 파동과 입자의 이중성 (5)
|
0 :
47 :
23
|
|
양자학적 가설 | ||
|
[9강] 파동과 입자의 이중성 (6)
|
0 :
32 :
48
|
|
양자학적 가설 | ||
|
[10강] 파동과 입자의 이중성 (7)
|
0 :
31 :
02
|
|
전위 우물 문제(일차원 상자), 양자화, 양자수, 바닥 상태 | ||
|
[11강] 원자 구조
|
0 :
27 :
44
|
|
원자 구조 | ||
| 3장. Energy Bands and Charge Carriers in Semiconductors (에너지 대역과 반도체에서의 전하 캐리어) | ||
|
[12강] 반도체 모형. 반도체의 전하 캐리어
|
0 :
49 :
07
|
|
양자화, 결합모델, 에너지 대역 모델, 전자와 정공, 물질의 구분 | ||
|
[13강] 캐리어 성질
|
0 :
39 :
33
|
|
유효 질량, 진성 반도체의 캐리어 수, 도핑 | ||
|
[14강] 평형상태에서의 페르미 준위
|
0 :
31 :
21
|
|
에너지 상태 밀도, 페르미 함수, 평형 상태에서의 캐리어 분포 | ||
|
[15강] 평형에서의 캐리어 농도 (1)
|
0 :
39 :
59
|
|
전자와 정공에 대한 표현 | ||
|
[16강] 평형에서의 캐리어 농도 (2)
|
0 :
32 :
02
|
|
전하의 중성 관계, 캐리어 농도 계산, 캐리어의 온도 의존성 | ||
|
[17강] 평형에서의 캐리어 농도 (3)
|
1 :
00 :
17
|
|
페르미 준위의 위치 결정 | ||
| 4장. Carrier Action (캐리어 작용) | ||
|
[18강] 표동
|
0 :
51 :
40
|
|
표동 전류, 이동도, 저항률 | ||
|
[19강] 확산
|
0 :
24 :
16
|
|
확산 전류, 아인슈타인 관계식 | ||
|
[20강] 재결합: 생성
|
0 :
48 :
23
|
|
재결합(밴드 간 재결합, R-G center 재결합, 오제 재결합), 생성(밴드 간 생성, R-G center 생성, 충돌에 의한 캐리어 생성, 에너지와 운동량의 보존(직접적 반도체, 간접적 반도체) | ||
|
[21강] 광학적 흡수. 발광
|
1 :
03 :
19
|
|
광학적 흡수, 광발광(형광, 인광), 전계 발광(주입형 전계 발광, 데스트리오 효과) | ||
|
[22강] 상태 방정식
|
0 :
37 :
43
|
|
연속 방정식, 소수 캐리어 확산 방정식 | ||
| 5장. p-n Junction Electrostatics (p-n 접합 정전기학) | ||
|
[23강] p-n 접합 형성 (1)
|
0 :
51 :
47
|
|
p-n 접합의 정의, 이상적인 도핑 프로파일(계단형 접합, 선형적으로 변화하는/경사진 접합), 쁘아송 방정식, p-n 접합에서 정전기적 변수 | ||
|
[24강] p-n 접합 형성 (2)
|
0 :
35 :
53
|
|
p-n 접합에서 정전기적 변수, 내부 전위차 | ||
|
[25강] p-n 접합 형성 (3)
|
0 :
36 :
57
|
|
내부 전위차, 공핍 근사 | ||
|
[26강] 정전기적 변수의 해 (1)
|
0 :
48 :
17
|
|
계단형 접합(외부 전압=0) | ||
|
[27강] 정전기적 변수의 해 (2)
|
0 :
46 :
37
|
|
계단형 접합(외부 전압≠0) | ||
|
[28강] 정전기적 변수의 해 (3)
|
0 :
48 :
39
|
|
선형적으로 변화하는 접합 | ||
|
[29강] 이상적 다이오드 방정식
|
0 :
51 :
30
|
|
정성적 유도(평형 상태의 경우, 순방향의 경우, 역방향의 경우) | ||
| 6장. p-n Junction Diode (p-n 접합 다이오드) | ||
|
[30강] I-V 특성 (1)
|
0 :
49 :
12
|
|
정량적 해 (공핍 영역 외부에서의 전류 밀도) | ||
|
[31강] I-V 특성 (2)
|
0 :
49 :
57
|
|
공핍 영역 내에서 전류 밀도, 경계조건(양쪽 전극에서의 경계조건, 공핍 영역 경계면에서의 경계 조건) | ||
|
[32강] I-V 특성 (3)
|
0 :
51 :
32
|
|
소수 캐리어 방정식의 해 | ||
|
[33강] I-V 특성 (4)
|
1 :
07 :
11
|
|
이상적인I-V, 포화 전류, 캐리어 전류, 캐리어 농도 | ||
|
[34강] 역방향 항복 (1)
|
0 :
53 :
31
|
|
역방향 바이어스 항복, 제너 항복, 애벌런치 항복 | ||
|
[35강] 역방향 항복 (2)
|
0 :
30 :
25
|
|
항복 다이오드, 정류기 | ||
|
[36강] 단순한 이론으로부터의 이탈
|
1 :
00 :
12
|
|
캐리어 주입에 대한 접촉 전위차 효과, 옴 효과, 공핍 영역에서의 재결합과 생성 | ||
|
[37강] 과도 및 교류상태 (1)
|
0 :
40 :
45
|
|
축적된 전하 | ||
|
[38강] 과도 및 교류상태 (2)
|
0 :
40 :
44
|
|
pn 접합 정전 용량 | ||
|
[39강] 과도 및 교류상태 (3)
|
0 :
40 :
43
|
|
역방향 회복 과도 현상, 스위칭 다이오드 | ||
| 7장. Bipolar Junction Transistors (쌍극성 접합 트랜지스터) | ||
|
[40강] BJT 동작의 기초. 공정
|
0 :
30 :
54
|
|
용어(Terminology), 공정(Fabrication) | ||
|
[41강] 정전기학
|
0 :
53 :
10
|
|
정전기학 | ||
|
[42강] 기본 동작 원리 고찰. 동작 매개변수
|
0 :
49 :
55
|
|
기본동작원리 고찰, 에미터 효율, 베이스 전송률, 베이스 공통 직류 전류 이득, 에미터 공통 직류 전류 이득 | ||
|
[43강] 이상적인 트랜지스터 분석 (1)
|
0 :
43 :
10
|
|
기본 가정, 일반해(에미터 영역의 해, 콜렉터 영역의 해) | ||
|
[44강] 이상적인 트랜지스터 분석 (2)
|
0 :
45 :
57
|
|
일반해(베이스 영역의 해, 동작 매개 변수/단자 전류) | ||
|
[45강] 이상적인 트랜지스터 분석 (3)
|
0 :
44 :
03
|
|
단순화 된 관계식, Ebers-Moll 방정식과 모델 | ||
| 8장. Metal-Semiconductor Contacts and Schottky Diodes (금속-반도체 전극과 샤키 다이오드) | ||
|
[46강] 이상적 금속-반도체 전극 (1)
|
0 :
43 :
56
|
|
MS 전극의 성질, Vacuum level, 일함수, 전자 친화력 | ||
|
[47강] 이상적 금속-반도체 전극 (2)
|
0 :
29 :
41
|
|
바이어스가 걸린 경우의 MS 구조, 정류 전극, MS 다이오드, 비정류 전극, 옴 전극, 이상적 MS 전극의 전기적 성질 | ||
|
[48강] 샤키 다이오드 (1)
|
0 :
44 :
53
|
|
정전기학, 접촉 전위차 혹은 내부 전위차, 공핍 영역의 길이 | ||
|
[49강] 샤키 다이오드 (2)
|
0 :
37 :
34
|
|
I-V 특성, 열전자 방출 전류 | ||
|
[50강] 샤키 다이오드 (3)
|
0 :
46 :
18
|
|
I-V 특성: 정량적 표현, 리챠드슨 상수 | ||
|
[51강] 샤키 다이오드 (4)
|
0 :
27 :
49
|
|
실험적 I-V 특성, 샤키 장벽 강하, 샤키 다이오드 클램프 | ||
|
[52강] 실제 전극에 대한 고려
|
0 :
39 :
11
|
|
정류 전극 혹은 MS contacts, 옴 전극, Field emission, 옴 전극의 안정성 | ||
| 9장. Field-effect Transistors (전계효과 트랜지스터) | ||
|
[53강] 접합 트랜지스터. 금속-반도체 전계 트랜지스터
|
0 :
57 :
03
|
|
전계 효과, J-FET, 샤클리 구조, J-FET 동작: 정성적 이론, channel narrowing effect, 핀치-오프, 포화 드레인 전압, 포화 드레인 전류, 핀치-오프 게이트 전압, 금속-반도체 전계 효과 트랜지스터 | ||
|
[54강] MOS의 기초 (1)
|
0 :
44 :
14
|
|
MOS, 이상적 구조 | ||
|
[55강] MOS의 기초 (2)
|
0 :
40 :
38
|
|
에너지 밴드 다이어그램, 블락 전하 다이어그램, 외부에서 가해진 바이어스의 효과, 다양한 조건에 따른 에너지 밴드 다이어그램 | ||
|
[56강] MOS의 기초 (3)
|
0 :
45 :
17
|
|
폴리 실리콘 게이트를 가진 MOS-C | ||
|
[57강] MOS의 기초 (4)
|
0 :
37 :
36
|
|
정전기학: 정량적 표현 | ||
|
[58강] MOS의 기초 (5)
|
0 :
50 :
59
|
|
MOS-C에서의 정전기적 변수(정규화된 정전위, 진성 디바이 거리, 정확한 해) | ||
|
[59강] MOS의 기초 (6)
|
0 :
47 :
54
|
|
델타-공핍 해, 축적, 공핍 중간, 반전의 시작, 강한 반전 | ||
|
[60강] MOS의 기초 (7)
|
0 :
59 :
19
|
|
게이트 전압과 반도체 표면 전위와의 관계 | ||
|
[61강] 정전용량-전압 특성 (1)
|
0 :
15 :
47
|
|
정전용량-전압 특성의 정의 | ||
|
[62강] 정전용량-전압 특성 (2)
|
0 :
36 :
56
|
|
정성적 이론, AC와 DC 신호에 따른 MOS-C 의 정전 용량(축적) | ||
|
[63강] 정전용량-전압 특성 (3)
|
0 :
39 :
51
|
|
AC와 DC 신호에 따른 MOS-C 의 정전 용량(공핍, 반전) | ||
|
[64강] 정전용량-전압 특성 (4)
|
0 :
44 :
01
|
|
델타-공핍 공식, 실제 측정값과 유사한 모델, 정확한 전하 분포 이론, 여러 도핑 농도에 따른 C-V 특성, 여러 산화물층 두께에 따른 C-V 특성, 여러 온도에 따른 C-V 특성 | ||
| 10장. MOSFETs (MOS 전계효과 트랜지스터) | ||
|
[65강] 기본동작: 정성적 이론
|
1 :
08 :
58
|
|
MOSFET 구조, MOSFET의 응답, 핀치-오프 | ||
|
[66강] 전류-전압 관계: 정량적 분석 (1)
|
0 :
43 :
28
|
|
문턱 전압, 유효 이동도, 유효 이동도와 게이트 전압과의 관계 | ||
|
[67강] 전류-전압 관계: 정량적 분석 (2)
|
0 :
56 :
11
|
|
제곱 법칙 이론, 벌크-전하 이론 | ||
|
[68강] 부하선
|
0 :
46 :
12
|
|
3단자 소자 (Three-terminal device)에서의 비선형 I-V 특성, 트랜지스터의 회로 기능 | ||
|
[69강] AC 응답
|
0 :
40 :
36
|
|
작은 신호 등가 회로, 차단 주파수 | ||
|
[70강] 전달 특성. 이동도 모델 (1)
|
0 :
46 :
04
|
|
출력 특성, 전달 특성, 보편적인 이동도 열화 곡선, 이동도 열화 매개변수 | ||
|
[71강] 이동도 모델 (2). 문턱 전압의 제어
|
0 :
59 :
40
|
|
단채널 MOSFET I-V 특성, 게이트 전극의 선택, C_0의 제어, 이온 주입에 의한 문턱 전압 조정 | ||
|
[72강] 금속-반도체 일함수 차이
|
0 :
33 :
37
|
|
금속-반도체 일함수 차이, Effect of nonideality | ||
|
[73강] 산화물 전하
|
0 :
41 :
31
|
|
산화물 전하, 산화물층 전하로 인한 효과 | ||
|
[74강] 유동성 이온
|
0 :
50 :
28
|
|
C-V 측성 곡선의 쉬프트, 불안정성, 알칼리 이온에 의한 오염도 줄이기, 유동성 이온: 총이온 전하량 | ||
|
[75강] 고정 전하
|
0 :
25 :
24
|
|
고정 전하, 고정 전하 Q_F 의 특성, 고정 전하의 물리적 기원 | ||
|
[76강] 계면 트랩
|
0 :
36 :
10
|
|
계면 트랩, n-bulk MOS-C 반전, n-bulk MOS-C 공핍, n-bulk MOS-C 축적 | ||
|
[77강] 채널길이 변조변화
|
0 :
24 :
06
|
|
채널길이 변조변화 | ||
|
[78강] 단채널 효과
|
1 :
06 :
36
|
|
V_T roll off, Drain-induced barrier lowering (DIBL) and punch through, Velocity Saturation, Hot electrons | ||
| 11장. Photo Detectors (광검출기) | ||
|
[79강] 광다이오드 (1)
|
0 :
51 :
36
|
|
광전자 공학, 광다이오드, 전류-전압 특성 | ||
|
[80강] 광다이오드 (2)
|
1 :
02 :
43
|
|
태양 전지, 채움인수, 유기 태양 전지, 태양 전지의 양자 효율, 검출기, 공핍 영역의 폭 W를 결정하는 요소, 공핍 영역 폭 W의 제어, 애벌런치 광다이오드, 검출기 물질 | ||
|
[81강] 발광 다이오드
|
0 :
47 :
06
|
|
주입형 전계 발광, LED 물질, 유기 발광 다이오드 | ||
| 12장. Integrated Circuits (집적 회로) | ||
|
[82강] 집적 회로
|
1 :
02 :
52
|
|
집적 회로의 종류, 집적 회로의 변천, CMOS 집적 공정 | ||
| 정오표 | ||
|
[83강] 강의 정오표
|
0 :
00 :
00
|
|
교재만 있습니다. | ||
;)
|
|
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;)
|
|
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